氮化铝基板
由于氮化铝（AlN）陶瓷基板所具有作为新一代的高导热性材料，越来越受到人们的关注和重视，是新一代LED照明、大规模集成电路、半导体模块电路及大功率器件理想的散热和封装材料。
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氮化铝基板
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陶瓷基板具有机械应力强，形状稳定；高强度、高导热率、高绝缘性；结合力强，防腐蚀；极好的热循环性能，与PCB板(或IMS基片)一样可刻蚀出各种图形的结构，热膨胀系数接近硅芯片，减少焊层，降低热阻，减少空洞，提高成品率等诸多特点，使得芯片的封装非常紧凑，从而使功率密度大大提高，改善系统和装置的可靠性。
氧化铝陶瓷通常根据氧化铝的含量进行分类，比如含量为75％、90％、95％、99％左右的氧化铝陶瓷分别称为75瓷、90瓷、95瓷和99瓷。996瓷具有机械性能良好，介电常数低，介电损耗小，电学性能稳定等优点，因此常应用高科技领域以及工作环境。
ZTA是氧化锆增韧氧化铝 ( Zirconia Toughened Alumina, ZTA) ZTA基板通过掺杂锆的氧化铝陶瓷提高了可靠性, 耐腐蚀、 化学稳定性好, 具有高断裂韧性和抗弯强度、高耐温能力、高载流容量、高绝缘电压、高热容与热扩散能力以及与硅相近的热膨胀系数(CTE), 使其成为 DBC 覆铜板和 LED 电路板急需的高性能陶瓷材质电路载体。
Si3N4陶瓷基板具备高强度、高导热、耐高温、高耐磨性、抗氧化、热膨胀系数低和抗热震等性能，同时具有较好的气密性，可隔离水汽、氧气和灰尘等特点，成为大功率半导体器件基板的最佳材料，被广泛应用到功率集成电路中。
高温共烧陶瓷即为HTCC（High-temperature co-fired ceramics），主要以氧化铝或氮化铝生瓷带和钨、钼、钼\锰等高熔点金属浆料为主要原料，通过丝网印刷的方式将浆料印刷在生瓷带上构成金属电路，并采用通孔填孔的方式使上下层导通，再进行多层叠合和高温烧结（其中氧化铝HTCC烧结温度在1500℃以上，氮化铝HTCC烧结温度在1800℃以上），最后经过电镀、烧焊等工艺，形成一个三维布线系统的单片结构，具有耐腐蚀、耐高温、寿命长、高效节能、温度均匀、导热性能良好、热补偿速度快等优点。
陶瓷双列直插外壳是一种插装型外壳，一般的引脚节距为2.54mm，跨度一般有15.24mm、10.16mm和7.62mm等常用规格，产品广泛使用于引出端数小、组装密度要求不高的各类集成电路、光耦器件、MEMS等的封装。有平行封焊和合金焊料熔封等封口方式可供选择。
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