加热片-株洲艾森达新材料科技有限公司

首页

加热片

氮化铝陶瓷加热器专为需要高性能高级陶瓷加热器的热应用而设计，以确保设备或过程达到最佳效果。该产品有氮化铝制成，并采用热匹配、专有加热元件，可在具有挑战性的应用中实现最佳性能。氮化铝特别适合需要清洁、无污染热源的应用。此外，出色的几何稳定性确保在加热循环期间实现一致的部件至部件的热接触。

关键词：

加热片

所属分类：

高温共烧陶瓷

服务咨询：

+86-0951-3301558 15008607461

荣誉资质

留言咨询

　　氮化铝陶瓷加热器可提供最高500℃的温度，并具有150℃/s的超快升温速率，也具体取决于应用、设计和工艺参数。除了具有出色的热特性，氮化铝陶瓷加热器还具有较高的电隔离性能，与传统金属加热器相比，通常可实现出色的耐化学性。

参数指标

序号	尺寸	厚度	最高工作温度	最大功率密度	加热线路电阻公差	TCR
1	可定制	0.8-3.0mm	500℃	155W/cm²	±20%	0.0015±0.0003

相关产品

用于制造高性能陶瓷器件；制造集成电路基板,电子器件,光学器件,散热器,高温坩埚。具有纯度高、杂质含量低和烧结活性高的特点。

导热填料用氮化铝粉体

用于添加在树脂或塑料中，提高树脂或塑料的导热性能，具有填充量高、流动性好、热导率高、绝缘性能优异等特点。

陶瓷基板

陶瓷基板具有机械应力强，形状稳定；高强度、高导热率、高绝缘性；结合力强，防腐蚀；极好的热循环性能，与PCB板(或IMS基片)一样可刻蚀出各种图形的结构，热膨胀系数接近硅芯片，减少焊层，降低热阻，减少空洞，提高成品率等诸多特点，使得芯片的封装非常紧凑，从而使功率密度大大提高，改善系统和装置的可靠性。

氮化铝基板

由于氮化铝（AlN）陶瓷基板所具有作为新一代的高导热性材料，越来越受到人们的关注和重视，是新一代LED照明、大规模集成电路、半导体模块电路及大功率器件理想的散热和封装材料。

996氧化铝基板

氧化铝陶瓷通常根据氧化铝的含量进行分类，比如含量为75％、90％、95％、99％左右的氧化铝陶瓷分别称为75瓷、90瓷、95瓷和99瓷。996瓷具有机械性能良好，介电常数低，介电损耗小，电学性能稳定等优点，因此常应用高科技领域以及工作环境。

ZTA基板

ZTA是氧化锆增韧氧化铝 ( Zirconia Toughened Alumina, ZTA) ZTA基板通过掺杂锆的氧化铝陶瓷提高了可靠性, 耐腐蚀、化学稳定性好, 具有高断裂韧性和抗弯强度、高耐温能力、高载流容量、高绝缘电压、高热容与热扩散能力以及与硅相近的热膨胀系数(CTE), 使其成为 DBC 覆铜板和 LED 电路板急需的高性能陶瓷材质电路载体。

氮化硅基板

Si₃N₄陶瓷基板具备高强度、高导热、耐高温、高耐磨性、抗氧化、热膨胀系数低和抗热震等性能，同时具有较好的气密性，可隔离水汽、氧气和灰尘等特点，成为大功率半导体器件基板的最佳材料，被广泛应用到功率集成电路中。

陶瓷生瓷片

陶瓷生瓷片是采用氮化铝或氧化铝粉体或LTCC玻璃粉体流延成为不同生瓷，分别用于氮化铝HTCC、氧化铝HTCC和LTCC。

$氧化铝结构件A95\A96\A97\A99\998$

氧化铝结构件A95\A96\A97\A99\998

产品优势

♦ 高绝缘、高强度、高可靠性，

♦ 耐高温、耐磨耗、耐腐蚀、耐等离子刻蚀

♦ 提供定制化解决方案

氮化铝结构件

产品优势

♦ 高导热率

♦ 高绝缘

♦ 热稳定好

♦ 膨胀系数小

♦ 耐等离子刻蚀性好

♦ 提供定制化解决方案

高温共烧陶瓷

高温共烧陶瓷即为HTCC（High-temperature co-fired ceramics），主要以氧化铝或氮化铝生瓷带和钨、钼、钼\锰等高熔点金属浆料为主要原料，通过丝网印刷的方式将浆料印刷在生瓷带上构成金属电路，并采用通孔填孔的方式使上下层导通，再进行多层叠合和高温烧结（其中氧化铝HTCC烧结温度在1500℃以上，氮化铝HTCC烧结温度在1800℃以上），最后经过电镀、烧焊等工艺，形成一个三维布线系统的单片结构，具有耐腐蚀、耐高温、寿命长、高效节能、温度均匀、导热性能良好、热补偿速度快等优点。

CDIP陶瓷双列直插外壳

陶瓷双列直插外壳是一种插装型外壳，一般的引脚节距为2.54mm，跨度一般有15.24mm、10.16mm和7.62mm等常用规格，产品广泛使用于引出端数小、组装密度要求不高的各类集成电路、光耦器件、MEMS等的封装。有平行封焊和合金焊料熔封等封口方式可供选择。

CFP陶瓷扁平外壳

具有体积小、重量轻、封装密度高、安装方便、可靠性高等特点。常规引线节距为1.27mm，也可定制其他非标准节距产品。适合表面安装的封装形式。